Neno Muhimu la PCIM
Shanghai, Septemba 25, 2025—Saa 11:40 AM leo, katika Jukwaa la Teknolojia la PCIM Asia 2025 katika Ukumbi N4 wa Kituo Kikuu cha Maonyesho cha Kimataifa cha Shanghai, Bw. Zhang Qingtao, Makamu wa Rais wa Shanghai YMIN Electronics Co., Ltd., alitoa hotuba kuu yenye kichwa "Matumizi Bunifu ya Vidhibiti katika Suluhisho Mpya za Semiconductor za Kizazi cha Tatu."
Hotuba hiyo ililenga changamoto mpya zinazotokana na teknolojia za semiconductor za kizazi cha tatu kama vile silicon carbide (SiC) na gallium nitride (GaN) kwa capacitors chini ya hali mbaya ya uendeshaji kama vile masafa ya juu, volteji ya juu, na halijoto ya juu. Hotuba hiyo ilianzisha kwa utaratibu mafanikio ya kiteknolojia ya capacitors ya YMIN na mifano ya vitendo katika kufikia msongamano mkubwa wa uwezo, ESR ya chini, maisha marefu, na uaminifu wa hali ya juu.
Mambo Muhimu
Kwa kupitishwa kwa haraka kwa vifaa vya SiC na GaN katika magari mapya ya nishati, hifadhi ya nishati ya photovoltaic, seva za AI, vifaa vya umeme vya viwandani, na nyanja zingine, mahitaji ya utendaji wa capacitors zinazounga mkono yanazidi kuwa magumu. Vidhibiti haviongezi majukumu tu; sasa ni "injini" muhimu inayoamua uthabiti, ufanisi, na maisha marefu ya mfumo. Kupitia uvumbuzi wa nyenzo, uboreshaji wa kimuundo, na uboreshaji wa michakato, YMIN imepata maboresho kamili katika vidhibiti katika vipimo vinne: ujazo, uwezo, halijoto, na kuegemea. Hii imekuwa muhimu kwa utekelezaji mzuri wa matumizi ya semiconductor ya kizazi cha tatu.
Changamoto za Kiufundi
1. Suluhisho la Ugavi wa Umeme wa Seva ya AI · Ushirikiano na Navitas GaN. Changamoto: Kubadilisha masafa ya juu (>100kHz), mkondo wa juu wa ripple (>6A), na mazingira ya halijoto ya juu (>75°C). Suluhisho:Mfululizo wa IDC3vikapita elektroliti vya ESR ya chini, ESR ≤ 95mΩ, na muda wa kuishi wa saa 12,000 kwa 105°C. Matokeo: Kupungua kwa 60% kwa ukubwa wa jumla, uboreshaji wa ufanisi wa 1%-2%, na kupungua kwa halijoto kwa 10°C.
2. Ugavi wa Nishati wa NVIDIA AI Server GB300-BBU Backup · Kuchukua Nafasi ya Musashi ya Japani. Changamoto: Kuongezeka kwa ghafla kwa nguvu ya GPU, mwitikio wa kiwango cha milisekunde, na uharibifu wa muda wa matumizi katika mazingira yenye halijoto ya juu. Suluhisho:Vipima-uwezo vya mraba vya LIC, upinzani wa ndani <1mΩ, mizunguko milioni 1, na kuchaji kwa kasi kwa dakika 10. Matokeo: Upungufu wa ukubwa wa 50%-70%, Upungufu wa uzito wa 50%-60%, na usaidizi wa nguvu ya kilele cha 15-21kW.
3. Ugavi wa Umeme wa Reli wa Infineon GaN MOS480W Unachukua Nafasi ya Rubycon ya Kijapani. Changamoto: Kiwango cha halijoto pana cha uendeshaji cha -40°C hadi 105°C, mikondo ya mawimbi ya masafa ya juu huongezeka. Suluhisho: Kiwango cha uharibifu wa halijoto ya chini sana <10%, mikondo ya mawimbi hustahimili 7.8A. Matokeo: Imefaulu -40°C, injini mpya ya joto la chini na majaribio ya mzunguko wa halijoto ya chini yenye kiwango cha ufaulu cha 100%, ikikidhi mahitaji ya maisha ya zaidi ya miaka 10 ya sekta ya reli.
4. Gari Jipya la NishatiVidhibiti vya DC-Link· Imelinganishwa na kidhibiti cha mota cha 300kW cha ON Semiconductor. Changamoto: Masafa ya kubadili > 20kHz, dV/dt > 50V/ns, halijoto ya mazingira > 105°C. Suluhisho: ESL < 3.5nH, muda wa matumizi > saa 10,000 kwa 125°C, na uwezo ulioongezeka kwa 30% kwa kila ujazo wa kitengo. Matokeo: Ufanisi wa jumla > 98.5%, msongamano wa nguvu unaozidi 45kW/L, na muda wa matumizi ya betri umeongezeka kwa takriban 5%. 5. Suluhisho la Rundo la Kuchaji la GigaDevice 3.5kW. YMIN inatoa usaidizi wa kina.
Changamoto: Masafa ya ubadilishaji wa PFC ni 70kHz, masafa ya ubadilishaji wa LLC ni 94kHz-300kHz, mkondo wa wimbi la pembejeo huongezeka hadi zaidi ya 17A, na ongezeko la joto la msingi huathiri vibaya maisha.
Suluhisho: Muundo sambamba wa vichupo vingi hutumika kupunguza ESR/ESL. Pamoja na vifaa vya GD32G553 MCU na GaNSafe/GeneSiC, msongamano wa nguvu wa 137W/in³ hupatikana.
Matokeo: Ufanisi wa kilele wa mfumo ni 96.2%, PF ni 0.999, na THD ni 2.7%, ikikidhi uaminifu wa hali ya juu na mahitaji ya maisha ya miaka 10-20 ya vituo vya kuchajia magari ya umeme.
Hitimisho
Ikiwa una nia ya matumizi ya kisasa ya semiconductors za kizazi cha tatu na una hamu ya kujifunza jinsi uvumbuzi wa capacitor unavyoweza kuboresha utendaji wa mfumo na kuchukua nafasi ya chapa za kimataifa, tafadhali tembelea kibanda cha YMIN, C56 katika Ukumbi N5, kwa majadiliano ya kina ya kiufundi!
Muda wa chapisho: Septemba-26-2025