Pamoja na ukuaji wa kasi wa mahitaji ya usindikaji wa data ya AI, seva za data za AI zimekuwa teknolojia ya msingi kwa makampuni ya biashara ili kuimarisha nguvu za hesabu na kuboresha michakato ya biashara. Kutokana na mahitaji ya juu ya utendakazi wa kimahesabu na upitishaji wa data katika miundo ya AI, mifumo ya hifadhi na ubao mama za seva za data za AI lazima iwe na kasi ya juu ya kusoma/kuandika, uthabiti na maisha marefu. Hasa, vifaa vya kuhifadhi vinahitaji kuhimili ufikiaji wa haraka wa data na ulinzi wa kuaminika wa kupotea kwa nishati, wakati ubao mama lazima uhakikishe muunganisho thabiti wa vipengee muhimu na udhibiti bora wa nishati ili kuhimili upakiaji wa juu, mazingira ya halijoto ya juu ya vituo vya data.
1. Mitindo na Changamoto katika Uhifadhi na Mbao Mama
Mfumo wa uhifadhi wa seva za data za AI hutegemea teknolojia ya SSD (Hifadhi ya Hali Imara), ambayo lazima ikidhi mahitaji ya msongamano wa juu na muundo wa kompakt. Mahitaji ya uadilifu wa data na majibu ya haraka yanapoendelea kuongezeka, mifumo ya uhifadhi inakabiliwa na changamoto kadhaa, ikiwa ni pamoja na kuhakikisha kasi ya kusoma/kuandika na uadilifu wa data chini ya upatanifu wa juu, pamoja na udhibiti madhubuti wa uondoaji joto. Wakati huo huo, ubao-mama, kama kitovu kikuu cha seva, hushughulikia mizigo mizito ya kukokotoa na kazi za sasa za usambazaji wa nishati ya juu, ikiweka mahitaji ya juu kwa vidhibiti vyake, ikiwa ni pamoja na ESR ya chini (Upinzani wa Mfululizo Sawa), upinzani wa halijoto ya juu, na maisha marefu. Kudumisha uthabiti wa mfumo na matumizi ya chini ya nishati chini ya mahitaji haya ya utendakazi wa hali ya juu imekuwa changamoto kubwa kwa vibao-mama vya seva.
Ili kushughulikia alama hizi za maumivu,Shanghai Yongming Electronic Co., Ltd (Hapa inajulikana kama YMIN)imeanzisha mfululizo wa vidhibiti vyenye vipengele kama vile saizi ya kompakt, msongamano mkubwa wa uwezo, ESR ya chini, muda mrefu wa kuishi, na upinzani wa sasa wa ripple, kuhakikisha utendakazi mzuri wa seva za data za AI.
2. YMIN Capacitor Solutions kwa AI Data Server Storage
YMIN ya mseto wa capacitors ya aluminium electrolytic (NGY/NHTmfululizo), multilayer polymer solid-state alumini electrolytic capacitors, na conductive polymer tantalum electrolytic capacitors hutoa faida kubwa katika mifumo ya hifadhi ya seva. Mfululizo wa NGY, pamoja na msongamano mkubwa wa uwezo na upinzani dhidi ya mshtuko wa nguvu, huhakikisha uthabiti wa SSD. Mfululizo wa NHT, pamoja na upinzani wake wa juu-joto, huongeza uaminifu wa mfumo. Vipashio vya aluminium vya hali ya juu vya polima hutoa ukubwa mdogo, msongamano wa juu wa uwezo, na ESR ya chini, kuwezesha muundo bora wa SSD. Vipitishio vya umeme vya polima tantalum elektroliti, vyenye uwezo wa juu na uwezo wa sasa wa ripple, huhakikisha pato thabiti la voltage na usaidizi wa nguvu unaotegemewa kwa seva za data za AI. Vipashio vya kielektroniki vya alumini katika mfululizo wa LKM na LKF, vikiwa na msongamano mkubwa wa uwezo, vidhibiti vya elektroliti vya alumini huboresha uthabiti wa usambazaji wa nishati na ufanisi wa uhifadhi wa seva, na kuongeza kwa kiasi kikubwa utendaji wa usindikaji wa data.
| Uteuzi Uliopendekezwa waPolima Mango-Kioevu Mseto wa Aluminium Electrolytic Capacitors | |||||
| Mfululizo | Volti(V) | Uwezo (uF) | Kipimo(mm) | Maisha (Saa) | Vipengele vya bidhaa na faida |
| NGY | 35 | 100 | 5*11 | 105℃/10000H | Inastahimili mtetemo, mkondo wa chini wa kuvuja, Kukidhi mahitaji ya AEC-Q200 Uthabiti wa halijoto ya juu wa muda mrefu, uthabiti wa uwezo mpana wa joto, na inaweza kuhimili mizunguko 300,000 ya malipo na kutokwa. |
| 100 | 8*8 | ||||
| 180 | 5*15 | ||||
| NHT | 35 | 1800 | 12.5*20 | 125℃/4000H | |
| Uteuzi uliopendekezwa wamultilayer polymer imara alumini capacitors electrolytic | |||||
| Mfululizo | Volti(V) | Uwezo (uF) | Kipimo(mm) | Maisha (Saa) | Vipengele vya bidhaa na faida |
| MPD19 | 35 | 33 | 7.3*4.3*1.9 | 105℃/2000H | Ustahimilivu wa juu wa voltage/ chini ya ESR / mkondo wa juu wa ripple |
| 6.3 | 220 | 7.3*4.3*1.9 | |||
| MPD28 | 35 | 47 | 7.3*4.3*2.8 | High kuhimili voltage / uwezo mkubwa / chini ESR | |
| MPX | 2 | 470 | 7.3*4.3*1.9 | 125℃/3000H | Halijoto ya juu na maisha marefu / ESR ya chini sana / mkondo wa juu wa ripple / AEC-Q200 inatii / uthabiti wa hali ya juu wa muda mrefu |
| 2.5 | 390 | 7.3*4.3*1.9 | |||
| Uteuzi Uliopendekezwa waConductive Polymer Tantalum Electrolytic Capacitors | |||||
| Mfululizo | Volti(V) | Uwezo (uF) | Kipimo(mm) | Maisha (Saa) | Vipengele vya bidhaa na faida |
| TPD15 | 35 | 47 | 7.3*4.3*1.5 | 105℃/2000H | Nyembamba sana / uwezo wa juu / mkondo wa juu wa ripple |
| TPD19 | 35 | 47 | 7.3*4.3*1.9 | Wasifu mwembamba/uwezo wa juu/ mkondo wa juu wa ripple | |
| 68 | 7.3*4.3*1.9 | ||||
| Uteuzi Uliopendekezwa wa KioevuAlumini Electrolytic Capacitors | |||||
| Mfululizo | Volti(V) | Uwezo (uF) | Kipimo(mm) | Maisha (Saa) | Vipengele vya bidhaa na faida |
| LKM | 35 | 2700 | 12.5*30 | 105℃/10000H | Ukubwa mdogo / mzunguko wa juu na upinzani mkubwa wa sasa wa ripple / mzunguko wa juu na upinzani mdogo |
| 3300 | |||||
| LKF | 35 | 1800 | 10*30 | Bidhaa ya kawaida/masafa ya juu na upinzani mkubwa wa sasa wa ripple/masafa ya juu na upinzani mdogo | |
| 2200 | 10*30 | ||||
| 1800 | 12.5*25 | ||||
3. YMIN Capacitor Solutions kwa AI Data Server Motherboards
Vibano vya polymer vya safu nyingi za YMIN, vidhibiti vya tantalum, na vidhibiti vya alumini ya hali dhabiti vina jukumu muhimu katika eneo la usambazaji wa nishati na miingiliano ya data ya vibao mama vya seva. Wanachukua viwango vya juu vya voltages, kupunguza kuingiliwa kwa mzunguko, na kuhakikisha pato la jumla la utulivu. Vipitishio vya safu nyingi vya safu nyingi za MPS vilivyo na ESR ya chini kabisa (3mΩ Max) vinaoana na mfululizo wa GX wa Panasonic, na hivyo kuboresha utendaji wa mfumo wa nishati kidogo. Vibano vya alumini ya hali shwari hushusha volteji na vichujio katika VRM ya ubao-mama (Moduli ya Kidhibiti cha Voltage) yenye ESR yao ya chini, ikisaidia mahitaji ya sasa ya papo hapo ya vipengee kama vile CPU na kumbukumbu. Hii inaboresha ufanisi wa ubadilishaji wa nguvu na kuhakikisha uendeshaji thabiti wa seva chini ya hali ya juu ya mzigo.
| Uteuzi unaopendekezwa wa multilayer polymer imara capacitors electrolytic electrolytic | |||||
| Mfululizo | Volti(V) | Uwezo (uF) | Kipimo(mm) | Maisha (Saa) | Vipengele vya bidhaa na faida |
| Wabunge | 2.5 | 470 | 7,3*4.3*1.9 | 105℃/2000H | Kiwango cha chini cha ESR 3mΩ/kinzani juu ya ripple sasa |
| MPD19 | 2 ~ 16 | 68-470 | 7.3*43*1.9 | Ustahimilivu wa juu wa voltage/ chini ya ESR/upinzani wa juu wa ripple sasa | |
| MPD28 | 4月20 Siku | 100-470 | 734.3*2.8 | High kuhimili voltage / uwezo mkubwa / chini ESR | |
| MPU41 | 2.5 | 1000 | 7.2*6.1*41 | Uwezo mkubwa zaidi / wa juu wa kuhimili voltage / chini ya ESR | |
| Uteuzi Uliopendekezwa wa Vipitishi vya Umeme vya Polima ya Kuendesha Tantalum | |||||
| Mfululizo | Volti(V) | Uwezo (uF) | Kipimo(mm) | Maisha (Saa) | Vipengele vya bidhaa na faida |
| TPB19 | 16 | 47 | 3.5*2.8*1.9 | 105℃/2000H | Ukubwa mdogo / kuegemea juu juu ripple mkondo |
| 25 | 22 | ||||
| TPD19 | 16 | 100 | 73*4.3*1.9 | Wembamba/Uwezo wa Juu/Utulivu wa Juu | |
| TPD40 | 16 | 220 | 7.3*4.3*40 | Uwezo mkubwa zaidi / uthabiti wa juu Ustahimilivu wa voltage 100Vmax | |
| 25 | 100 | ||||
| Uteuzi wa capacitor ya kielektroniki ya aluminium ya polima iliyopendekezwa | |||||
| Mfululizo | Volti(V) | Uwezo (uF) | Kipimo(mm) | Maisha (Saa) | Vipengele vya bidhaa na faida |
| NPC | 2.5-16 | 100-1000 | - | 105℃/2000H | Kiwango cha chini cha ESR Inastahimili mshtuko mkubwa wa sasa na mshtuko wa juu wa sasa Utulivu wa muda mrefu wa joto la juu, aina ya mlima wa uso |
| VPC | 2.5-16 | 100-1000 | - | ||
| VPW | 2.5-16 | 100-1000 | - | 105℃/15000H | Maisha marefu zaidi/chini ya ESR/inastahimili mkondo mkubwa wa mawimbi, inayostahimili mshtuko mkubwa wa sasa/uthabiti wa halijoto ya juu wa muda mrefu. |
4. Hitimisho
YMIN inatoa suluhu za utendaji wa juu wa capacitor kwa seva za data za AI, ikiwa ni pamoja na capacitor ya alumini ya mseto ya electrolytic, capacitor za hali ya juu za alumini ya alumini ya hali ya juu, na capacitors za polima tantalum. Vipashio hivi vina msongamano mkubwa wa uwezo, ESR ya chini, maisha marefu, na upinzani wa halijoto ya juu, kuboresha uthabiti na kasi ya majibu ya mifumo ya uhifadhi. Wanahakikisha utendakazi mzuri katika mazingira ya mzigo wa juu, joto la juu, kudumisha usimamizi thabiti wa nguvu na upitishaji wa data kwa bodi za mama za seva na kuimarisha kwa ufanisi utendaji wa mfumo na kuegemea.
Acha ujumbe wako:http://informat.ymin.com:281/surveyweb/0/l4dkx8sf9ns6eny8f137e
Muda wa kutuma: Nov-26-2024