NPM

Ukubwa wa Bidhaa(mm)

Sababu ya kusahihisha masafa

Mfululizo wa YMIN NPM: Kufafanua upya Vikomo vya Utendaji vya Capacitor kwa Vifaa vya Ubora wa Juu

Katika nyanja za hali ya juu kama vile mawasiliano ya 5G, anga, na vifaa vya elektroniki vya matibabu, muda wa maisha na uthabiti wa vipashio vya kawaida vya kielektroniki vimekuwa vikwazo vya mfumo. Msururu wa YMIN wa NPM wa vipitishio vya kielektroniki vya polima dhabiti vinavyopitisha umeme, vyenye kipenyo kidogo zaidi duniani cha 3.55mm, kiwango cha joto cha kijeshi cha kiwango cha -55°C hadi 105°C, na ESR ya chini sana ifikapo 100kHz, huweka kigezo kipya cha miundo ya kielektroniki yenye msongamano wa juu wa kizazi kijacho.

I. Mafanikio Yanayovuruga ya Kiteknolojia

1. Teknolojia ya Nanoscale Conductive Polymer
• Utendaji wa Utendaji wa Kiwango cha Juu:

Kwa kutumia polima zinazopitisha nanoscale kuchukua nafasi ya elektroliti za kitamaduni, vidhibiti hufikia ESR ya chini kama 0.015Ω kwa 100kHz (muundo wa 6.3V/270μF), kupunguza matumizi ya nishati kwa 80% ikilinganishwa na capacitor kioevu cha elektroliti. Uwezo wa kunyonya wa sasa wa mawimbi ya juu-frequency huongezeka mara tano, na kuondoa kabisa tatizo la hum katika kubadili vifaa vya nguvu.

• Utaratibu wa usalama wa kujiponya:

Katika tukio la overvoltage, minyororo ya molekuli ya polima hujipanga upya ili kuunda safu ya kujiponya, kupunguza hatari ya mlipuko unaosababishwa na kupungua kwa elektroliti ya capacitor kioevu. Imethibitishwa kulingana na viwango vya IEC 60384-24, kiwango cha kushindwa kwa mzunguko mfupi ni chini ya 0.001ppm.

2. Kubadilika kwa mazingira yaliyokithiri

• Aina mbalimbali za joto, kiwango cha kijeshi:

Mabadiliko ya kizuizi kwa -55°C kuanza kwa halijoto ya chini ni ≤7.2x (wastani wa tasnia 15x), na kuharibika kwa uwezo baada ya kuzeeka kwa kasi kwa 105°C kwa 2000h ni ≤8%. • Muundo wa Ulinzi Maradufu:

• Mchakato wa kuweka vyungu ombwe hustahimili mazingira ya unyevunyevu mwingi hadi 98% RH (ESR huongezeka ≤ 35% baada ya majaribio ya 60°C/1000h).

• Safu ya sehemu ya sinki ya joto ya ganda-polima ya alumini huboresha upitishaji wa joto hadi 8.3W/mK.

3. Kuvunja rekodi kwa Miniaturization

• Uwiano mdogo zaidi duniani wa 3.55×11mm:

Kufikia uwezo wa 220μF (6.3V) ndani ya urefu wa Φ3.55mm, kuokoa nafasi ya 78% ikilinganishwa na vifurushi vya jadi vya SMD. Pini hutumia waya wa shaba mwembamba zaidi wa 0.4mm, na kupitisha majaribio ya mshtuko wa mitambo ya 20G (MIL-STD-883H).

• Mchakato wa Kuweka Rafu za 3D:

Foili ya alumini yenye anodized inatibiwa kwa teknolojia ya nano-etching, hivyo kusababisha eneo bora la 120m²/g, na kuongeza msongamano wa uwezo kwa 300% ikilinganishwa na michakato ya kitamaduni.

II. Uchambuzi wa Vigezo vya Msingi vya Kiufundi

1. Mfano wa Kupoteza Kiwango cha Juu-Frequency

P_{hasara} = I_{rms}^2 × ESR_{100kHz} + (2πfC)^2 × ESL^2

Wakati f > 100kHz, madoido ya ESL hupunguzwa hadi 1/6 ya vipashio vya jadi. Kuchukua mfano wa 50V/22μF kama mfano:
• 98.3% uhifadhi wa uwezo unaofaa katika 500kHz

• Uwezo wa sasa wa kubeba ripple ni mara 2.8 ya kiwango cha sekta

2. Matrix ya Kubadilika kwa Mazingira
Wastani wa Sekta ya Utendaji ya NPM ya Viwango vya Masharti ya Mkazo

Mzunguko wa Halijoto (-55°C hadi 105°C) MIL-STD-202G ΔC/C ≤ ±5% ±15%

Mtetemo wa Kitambo (10-2000Hz) GBB150.16A Uhamisho wa Pointi ya Resonance <0.1mm 0.3mm

Kutu ya Dawa ya Chumvi (96h) IEC 60068-2-11 Eneo la Kuungua kwa Lead <2% 8%

3. Mfano wa Maisha ya Kuharakishwa

Imetolewa kwa msingi wa Sheria ya Arrhenius:

L_{halisi} = L_{jaribio} × 2^{(T_{jaribio} - T_{halisi})/10}

Jaribio la 105°C/2000h hutoa muda sawa wa maisha wa saa 128,000 (≈miaka 15) katika 25°C.

Kwa nini uchague mfululizo wa NPM?

Wakati muundo wako unakabiliwa:

✅ Capacitor hulia katika saketi za masafa ya juu
✅ Kushindwa kwa mfumo kunakosababishwa na tofauti kubwa za halijoto
✅ Uboreshaji mdogo na kuegemea juu hakuwezi kupatikana kwa wakati mmoja
✅ Uendeshaji bila matengenezo kwa zaidi ya miaka kumi inahitajika

Mfululizo wa YMIN NPM, pamoja na kuegemea kwa kiwango cha kijeshi, upunguzaji mdogo wa rekodi, na uwezo wa kukabiliana na halijoto pana zaidi, umekuwa msingi wa muundo wa hali ya juu wa kielektroniki. Inatoa chanjo kamili ya voltage kutoka 6.3V/270μF hadi 100V/4.7μF, inasaidia:

• Kugeuza kigezo kukufaa (±5% usahihi wa uwezo)

• Usanidi upya wa kifurushi (uunganisho wa kifurushi cha 3D)

• Uthibitishaji wa pamoja (jaribio la kubadilika kwa mazingira)